IRL3202STRR【PDF 2/9 页】MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK

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IRL3202S

Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min.

Typ.

Max. Units

Conditions

V (BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

20

–––

––– V V GS = 0V, I D = 250μA

D V (BR)DSS / D T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient

–––

0.029

–––

V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?

V GS = 7.0V, I D = 29A ?

0.016

R DS(on)

V GS(th)

g fs

I DSS

I GSS

Q g

Q gs

Q gd

t d(on)

t r

t d(off)

t f

Static Drain-to-Source On-Resistance

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

Drain-to-Source Leakage Current

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

Turn-Off Delay Time

Fall Time

–––

–––

0.70

28

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

9.8

100

63

82

0.019 V GS = 4.5V, I D = 29A ?

W

––– V V DS = V GS , I D = 250μA

––– S V DS = 16V, I D = 29A ?

25 V DS = 20V, V GS = 0V

μA

250 V DS = 10V, V GS = 0V, T J = 150°C

100 V GS = 10V

nA

-100 V GS = -10V

43 I D = 29A

12 nC V DS = 16V

13 V GS = 4.5V, See Fig. 6 ??

––– V DD = 10V

––– I D = 29A

ns

––– R G = 9.5 W, V GS = 4.5V

––– R D = 0.3 W, ??

L S

Internal Source Inductance

–––

7.5 –––

nH

Between lead,

and center of die contact

C iss

C oss

C rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

–––

–––

–––

2000 ––– V GS = 0V

800 ––– pF V DS = 15V

290 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?

Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I S

I SM

Continuous Source Current

(Body Diode)

Pulsed Source Current

(Body Diode) ??

––– –––

––– –––

48

190

A

MOSFET symbol

showing the

integral reverse

p-n junction diode.

G

D

S

V SD

t rr

Q rr

t on

Notes:

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Forward Turn-On Time

––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 29A, V GS = 0V ?

––– 68 100 ns T J = 25°C, I F = 29A

––– 130 190 nC di/dt = 100A/μs ??

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )

? Repetitive rating; pulse width limited by

max. junction temperature.

? Starting T J = 25°C, L = 0.64mH

R G = 25 W , I AS = 29A.

? I SD ￡ 29A, di/dt ￡ 63A/μs, V DD ￡ V (BR)DSS ,

T J ￡ 150°C

? Pulse width ￡ 300μs; duty cycle ￡ 2%.

? Uses IRL3202 data and test conditions

** When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.

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